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鎧俠研發出約170層NAND型記憶卡技術

2021/02/19

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半導體

      日本半導體製造商鎧俠(Kioxia,原東芝記憶體)研發出了約170層存儲單元堆疊的NAND型記憶卡技術,達到世界最先進水平。讀寫速度是現有112層産品的兩倍以上。在5G不斷普及的背景下,鎧俠認為高速、大容量的數據交換將增加,計劃開拓數據中心和智慧手機的需求。

  

  

      該技術由鎧俠與美國西部數據(WD)共同開發,將在「國際固態電路會議(ISSCC)」上發佈。將於2021年內投産,預計最早於2022年量産。

 

      鎧俠的競爭對手美國美光科技和韓國SK海力士已宣佈開發出176層産品。圍繞最尖端産品的開發競爭越來越激烈。

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