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三星新生産線投産 供應最尖端DRAM

2020/09/01

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半導體

       韓國三星電子的半導體記憶體主力基地平澤工廠的第二生産線投産。採用能大幅提升半導體性能、被稱為「EUV(極紫外)」的製造技術,開始供應最尖端的DRAM。在競爭對手還在對增産投資猶豫不決的情況下,最大記憶體企業三星仍持續進行投資。

 

       平澤工廠第二生産線的總建築面積約為13萬平方米,相當於16個足球場。計劃以此次的DRAM為開端,今後還將推進NAND型記憶卡的量産和半導體代工業務,總投資額超過30萬億韓元(約合人民幣1730億元)。

 

三星平澤工廠的第2條生産線(前)

 

       開始供貨的最尖端DRAM是被稱為「16GB LPDDR5」的智慧手機半導體。在記憶體生産中首次採用EUV技術,將半導體電路線寬縮小了1個級別。

 

       三星沒有透露具體數字,但有分析認為,電路線寬為15~16奈米。該公司計劃到2021年量産下一代DRAM

 

       在DRAM的開發競爭方面,製造技術的難度逐漸提高,各家廠商此前一直停滯在17~18奈米。

 

       日本經濟新聞(中文版:日經中文網)細川幸太郎 首爾

 

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