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凸版印刷將量産應對5奈米線寬半導體的光掩膜

2020/07/06

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  針對生産最尖端的電路線寬為5奈米的半導體時使用的光掩膜(Photomask,掩膜板),日本凸版印刷最早將於2021年構建量産體制。應對用於5G和自動駕駛的高功能半導體需求擴大。此外,還力爭2023年面向3奈米線寬半導體實現光掩膜的産品化。

    

  半導體的電路線寬越細,性能越高。目前台灣積體電路製造(台積電,TSMC)和三星電子已開始量産最尖端5奈米半導體,但這2家公司均自主生産光掩膜。生産5奈米線寬半導體需要支持新一代製造技術「EUV(極紫外)」的先進技術。

     

  凸版印刷計劃,在僅次於三星等的「第2集團」廠商開始生産5奈米半導體時,獲得光掩膜的訂單。據稱隨著5G和自動駕駛市場擴大,處理大量數據的半導體需求增加。在此背景下,除了大規模積體電路(LSI)之外,用於智慧手機等信息存儲的DRAM等也將邁向微細化。

    

  要大量生産微細電路的半導體,光掩膜是不可缺少的零部件。其發揮猶如照片「底片」的作用,用於在矽晶圓上轉印電路圖。 

     

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