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半導體微細化競爭:3強以外企業掉隊

2019/11/12

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       半導體的電路線寬越細,運算處理和存儲容量的性能越好,耗電量也將下降,因此半導體廠商一直競相開發微細化技術。自2010年前後起,技術發展開始停滯,但極紫外線(EUV)光刻這一新技術問世,作為打破目前極限的突破口而受到期待。

 

三星的産品(資料圖,kyodo)

  

       極紫外線光刻設備由荷蘭的ASML壟斷,價格被認為每台約合150億日元,要建立生産線,需要數千億日元規模,沒有資金實力和技術實力難以啟動投資。

 

       世界第3大代工企業美國格芯(Global Foundries)難以承受鉅額負擔,放棄了電路線寬14奈米以後的開發。排在第4位的台灣聯華電子(UMC)也沒有取得進展。

 

       有能力展開鉅額投資的僅限於三星、台積電(TSMC)和美國英特爾這「半導體3強」。

 

       極紫外線光刻:在矽基板上形成半導體微細電路的光刻技術之一。光源採用波長13.5奈米這一極短的極紫外線(EUV)。光源的波長越短,越能形成微細的電路,能進一步提高半導體的性能。不過,技術門檻很高,只有荷蘭ASML一家企業能製造設備。佳能和尼康已放棄開發。

  

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