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三星在半導體記憶體生産中率先引入新技術

2020/03/26

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  韓國三星電子3月25日發佈消息稱,在半導體生産的主要工序中投産了使用新一代「EUV(極紫外線)」光刻設備的量産線。在半導體記憶體領域,全球首家使用EUV光刻設備。三星時隔約20年正式引入新一代生産技術。

 

三星在華城工廠使用EUV光刻設備量産記憶體(圖片由三星電子提供)

   

  EUV是波長只有13.5奈米(奈米為10億分之1米)的極短極紫外線。光刻設備被用於在矽晶圓上刻出半導體線路的重要工序。使用EUV光刻設備,能夠以更短時間刻畫出細微電路,從而降低製造成本。三星方面表示,「與以往的技術相比,不僅能夠提高記憶體的性能,生産效率也將提高至2倍」。

    

  三星向首爾近郊華城工廠的DRAM生産線中引入EUV光刻設備,並開始以100萬個為單位供應最尖端的記憶體産品。計劃2020年內在平澤工廠也引入同樣的量産線。

    

  三星是全球最大的記憶體生産商。第2大記憶體廠商韓國SK海力士計劃2021年在DRAM生産線中引入EUV光刻設備。

      

  三星在2000年代初期引入了目前主流的「ArF」光刻技術。但是在左右半導體性能的線路寬度細微化方面,ArF技術已接近極限。三星將活用新一代EUV技術,先於其他廠商量産高性能半導體。

  

三星(REUTERS)

   

  在CPU等運算用半導體領域,EUV光刻設備已經被台灣積體電路製造(TSMC,台積電)和美國英特爾採用。三星開創了在半導體記憶體領域使用EUV光刻設備的先河。

   

  EUV光刻設備由荷蘭廠商ASML生産,每台售價超過100億日元。有投資餘力的半導體廠商有限,三星力爭通過引入新技術來拉大與競爭對手的距離。

   

  日本經濟新聞(中文版:日經中文網)細川幸太郎 首爾報導

  

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