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三星量産新型DRAM 鞏固記憶體首位寶座

2017/12/22

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  韓國三星電子12月20日宣佈,已啟動新型DRAM(動態隨機記憶體)的量産。該記憶體的電路線寬為最尖端的10奈米(10億分之1米)級。三星通過微細化將生産效率提高了3成,將應對全球不斷增長的數據中心需求。三星在半導體記憶體領域居全球首位,將在尖端産品的量産方面領跑,以甩開美國、日本競爭對手。

    

三星電子的華城工廠(京畿道華城市)

   

  本次啟動量産的是被三星稱為「第2代」的10奈米級DRAM,存儲容量達到8GB。三星採用新設計,將數據傳輸速度提升超過10%,耗電量降低超過15%,主要面向數據中心的伺服器。同時,三星還計劃將新技術應用於智慧手機等移動終端用DRAM。

  

  三星2016年2月啟動了10奈米級DRAM的量産。該公司僅表示,「各企業的標準有所不同」,並未透露具體數值。但有分析師分析稱,「以往産品為18奈米,此次微細化水平達到15~16奈米」。隨著微細化取得進展,1枚矽晶圓能生産的記憶體數量會增加,生産效率將隨之提高。因此除了部分用途之外,三星的DRAM基本上將全面轉向10奈米級。

  

  全球第2大DRAM廠商韓國SK海力士2017年秋季啟動了18奈米DRAM的量産,但整體佔比還不到1成。預計15~16奈米産品的量産要等到2018年秋季。在三星方面,目前超過5成産品已為10奈米級,正向著全面10奈米級邁進。

  

   

  由於大數據和人工智慧(AI)的普及使數據量呈爆炸式增長,DRAM和NAND型記憶卡的需求正在迅速擴大。2017年7~9月,三星半導體部門的營業利潤達到9.96萬億韓元,同比增至近3倍,連續4個季度創出新高。

  

  目前全球範圍出現半導體記憶體短缺。有觀點認為,半導體行業進入了需求呈跨越式增長的「超級週期」階段。韓國野村證券指出,「明年DRAM仍將供不應求」。三星將通過向尖端産品過渡來增加産量,以應對旺盛的需求。

  

  三星持續對半導體工廠進行鉅額投資,已在DRAM市場掌握約5成份額,在NAND掌握約4成份額,均高居全球首位。除了三星之外,DRAM市場上還有收購爾必達記憶體的美國美光科技、SK海力士,形成3家壟斷狀態。三星將通過投入尖端産品來鞏固領先地位。在數據中心的需求迅速擴大的NAND領域,三星也打算在技術開發方面領先,以甩開東芝等對手。

   

  日本經濟新聞(中文版:日經中文網)鈴木壯太郎 首爾

  

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